La memoria para la inteligencia artificial o IA ha tenido un auge en los últimos años debido a la necesidad de esta para escalar esta nueva tecnología. Existen varios nombres con brillo propio, pero podemos aprovechar esta tendencia invirtiendo en ETF Roundhill Memory (DRAM), aunque no exento de riesgos. El mismo cuenta con grandes valores y con tan solo 24 sesiones de vida ha subido cerca del 70% y alcanzado un récord intradía en 14 oportunidades, según Jared Blikre en Yahoo Finance.
El analista de ETF de Bloomberg, Eric Balchunas, describió a DRAM como "básicamente el $IBIT de los ETF de renta variable temáticos", en referencia al ETF spot de bitcoin (IBIT) de Blackrock. Una forma de decir que el fondo se ha convertido en un ETF de nicho poco común que genera un fenómeno de mercado casi de inmediato. DRAM contaba con aproximadamente 3.300 millones de dólares en activos hasta el martes, tras su lanzamiento a principios de abril.
DRAM no creó el mercado de la memoria. Llegó como el envoltorio de un repunte que ya estaba en pleno auge.
El Índice Global de Memoria de Bloomberg ha subido casi un 680% desde principios de 2025, tras dos décadas de ciclos de memoria que ahora parecen insignificantes comparados con el auge de la era de la IA. Las acciones de memoria siempre han sido cíclicas, pero este movimiento ha convertido al sector en uno de los repuntes más agresivos de la cadena de suministro de la IA.
DRAM no es un fondo de semiconductores diversificado. Sus principales participaciones son las de la propia cadena de suministro de memoria, lideradas por Micron Technolog, SK Hynix, Samsung, Sandisk, Seagate Hldgs y Western Digital.Samsung se convirtió recientemente en la última empresa cotizada en alcanzar una valoración de 1 billón de dólares.
La concentración es clave. Micron, SK Hynix y Samsung representan casi el 70% del ETF, mientras que las siete principales participaciones representan alrededor del 90%.
Esto también resuelve un problema práctico para los inversores estadounidenses, aunque con ciertas salvedades. Samsung y SK Hynix son fundamentales en el mercado de memorias, pero ninguna ofrece fácilmente un ADR (American Depositary Receipt) cotizado en EE. UU. Si bien SK Hynix ha solicitado su cotización en EE. UU., la fuerte presencia de empresas extranjeras en la cartera de DRAM implica que los inversores acceden al mercado con un mayor riesgo de liquidez, fluctuaciones cambiarias y variaciones en el horario de negociación.
Para los inversores en chips, la decisión ahora se reduce a la concentración que desean en su cartera. DRAM ofrece una cartera especializada, lo que significa una mayor exposición directa a la memoria, pero también menos margen de error si la operación se revierte.
Micron es la acción de memoria más pura y de mayor tamaño que cotiza en EE. UU. Sandisk, Western Digital y Seagate ofrecen exposición vinculada al almacenamiento. Los ETF de semiconductores más amplios, como VanEck Semiconductor ETF (SMH) e iShares Semiconductor ETF (SOXX), ofrecen mayor diversificación, pero menor exposición directa a la memoria.
Este ETF aún es demasiado reciente para aplicarle un análisis técnico convencional. Apenas existe una media móvil de 20 días para observar, por lo que la línea de tendencia inicial es el indicador clave.
Mientras la DRAM siga subiendo, los inversores seguirán pagando precios elevados por la exposición directa a la memoria. Una caída por debajo de ese nivel sería la primera señal de que el auge de la memoria para IA está perdiendo impulso en el ámbito de los ETF.
