Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) y Panasonic Corporation (TSE: 6752) han anunciado un acuerdo por el cual ambas empresas desarrollarán conjuntamente dispositivos GaN (nitruro de galio) basados en la estructura de transistor de silicio GaN (modo mejorado) de autobloqueado de Panasonic integrada en los paquetes de dispositivos montados en superficie (SMD en sus siglas en inglés) de Infineon. En este contexto, Panasonic ha concedido a Infineon licencia de su estructura de transistor GaN de autobloqueado. Este acuerdo permitirá a ambas empresas fabricar dispositivos GaN de alto rendimiento.
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- Business Wire
