Panasonic Corporation anunció hoy el desarrollo de diodos de nitruro de galio (gallium nitride, GaN) que no sólo operan en una alta corriente que es cuatro veces mayor a la tolerada por los diodos convencionales de carburo de silicio (silicon carbide, SiC)*1, sino que también operan a bajo voltaje, debido a su bajo voltaje de encendido. La producción de los nuevos diodos fue posible a través del desarrollo de una nueva estructura híbrida compuesta por estructuras incorporadas en forma separada, formadas por una unidad de bajo voltaje y una unidad de alta corriente, en preparación para condiciones de alto voltaje.
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- Business Wire
