Toshiba Corporation (TOKIO: 6502) anunció hoy el lanzamiento de diodos emisores de luz (Light-emitting diode, LED) blancos fabricados con proceso de nitruro de galio sobre silicio (GaN-on-Si) . Los LED son de tipo subvatio de baja energía, debido a la reducción de la tensión directa (VF). Dos grupos de paquetes se pondrán a disposición, la serie TL2FK con paquete de 3,0 x 1,4 mm y la serie TL3GA con paquete de 3,0 x 3.0 mm. La producción en masa está programada para comenzar a partir de agosto de 2013.
Aplicaciones
Fuentes de luz para iluminación general, incluyendo las luces de tubos rectos, las bombillas, las lámparas de base y las luces de techo
Características clave
1. Proceso GaN-on-Si
2. Dos series con diferentes paquetes (3,0 x 1,4 mm y 3,0 x 3,0 mm)
3. Bajo consumo de energía
Para obtener más información sobre las series de estos productos, visite:
http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng/product/new_products/opto/1324156_37651.html
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