Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha anunciado que ha iniciado la construcción de una nueva y revolucionara instalación para la fabricación de semiconductores, Fab 6, así como de un nuevo centro de I+D, el Memory R&D Center, en Yokkaichi Operations en la prefectura de Mie, en Japón, la principal base de producción de memoria de la empresa.

Fab 6 estará dedicada a la producción de BiCS FLASH™, la innovadora memoria 3D Flash1de Toshiba. Al igual que Fab 5, la construcción se llevará a cabo en dos fases, para que el ritmo de la inversión se optimice según las tendencias del mercado, estando prevista la finalización de la Fase 1 para verano de 2018.

"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".

- Business Wire

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