Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado una SRAM de fugas muy bajas de 65nm (XLL SRAM) ideal para RAM de back-up en unidad MCU de bajo consumo que consigue un rápido tiempo de arranque desde un modo de inactividad.
Toshiba ha presentado este avance en la Conferencia internacional 2014 IEEE de circuitos de estado sólido en San Francisco, California, el 11 de febrero.
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- Business Wire
