Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha ampliado su novedosa planta de fabricación de semiconductores Nº 5 (Fab 5) en las operaciones de Yokkaichi en Mie (Japón), para garantizar espacio de fabricación de las memorias NAND flash fabricadas con la tecnología de procesos de próxima generación y para futuras memorias 3D. La segunda fase de construcción de Fab 5 comenzará a finales de agosto de este año y finalizará en el verano del año que viene. Las decisiones sobre la producción y la inversión de los equipos reflejarán las tendencias del mercado.
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