Semiconductor & Storage Products Company de Toshiba Corporation (TOKYO: 6502) ha comunicado que ampliará su gama de diodos de barrera schottky (SBD por sus siglas en inglés) de carburo de silcio (SiC) 650V con la incorporación de los productos TO-220F-2L aislados. Los 4 nuevos productos amplían la gama 6A, 8A, 10A y 12A con respecto a los actuales productos TO-220-2L. La producción en masa comienza hoy.
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