El dispositivo de protección de Toshiba con procesos de 0.13μm para semiconductores de potencia análogos mejora las características de las descargas electroestáticas (ESD)

Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha desarrollado un dispositivo para la protección contra descargas electroestáticas (ESD) para aplicaciones relacionadas con los semiconductores de potencia análogos, fabricado con avanzados procesos de tecnología de 0.13?m, que optimiza la estructura del transistor y mejora de manera significativa las características ESD. La protección ESD es mucho más resistente, hasta cuatro veces, y la desviación estándar es 1/12 de la estructura convencional. Los análisis de las simulaciones en 3D también han permitido a Toshiba identificar un mecanismo para optimizar la estructura del transistor y mejorar la solidez de la ESD. Toshiba ha presentado estos avances en ISPSD2016, el simposio internacional sobre semiconductores celebrado en la República Checa el 14 de junio de 2016.

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- Business Wire