Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha anunciado el desarrollo de transistores de efecto de campo de tunelización (TFET en sus siglas en inglés) que utilizan un nuevo principio para MCU de ultra baja potencia. Este principio se ha aplicado al desarrollo de dos TFET diferentes utilizando un proceso compatible con la plataforma CMOS. Al aplicar cada TFET en algunos bloques de circuito, es posible conseguir reducciones notables de potencia en los MCU.
Toshiba ha presentado los TFET el 9 y 10 de septiembre en tres presentaciones durante la conferencia 2014 Solid State Devices and Materials (SSDM) en Tsukuba (Japón).
"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".
- Business Wire
