Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha presentado el MOSFET de baja resistencia y bajas pérdidas mediante el uso de la última zanja del proceso MOS, como incorporación adicional al conjunto MOSFET para aplicaciones automóviles. El nuevo producto, "TK100S04N1L", consigue una baja resistencia combinando la última zanja del chip del proceso MOS de 8ª generación, "U-MOS VIII-H series", y el paquete "DPAK+" que utiliza conectores Cu (cobre).       

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- Business Wire