Toshiba Corporation (TOKYO:6502) ha anunciado el desarrollo de un transistor de ganancia de alta potencia utilizando el proceso compatible CMOS. El transistor reduce de forma eficiente el consumo energético en aplicaciones front-end análogas /RF de alta frecuencia. Todos los detalles serán presentados el próximo 12 de junio durante el 2013 Symposia sobre circuitos y tecnología VLSI, que se celebra en Kyoto (Japón), del 11 al 14 de junio, 2013.

"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".

- Business Wire

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