Toshiba Corporation (TOKYO:6502) anunció hoy el desarrollo de una innovadora tecnología de bajo consumo para Memoria de acceso aleatorio estática (Static Random Access Memory, SRAM) integrada para aplicaciones en teléfonos inteligentes y otros productos móviles. La nueva tecnología reduce el consumo en modo activo y en modo de espera en temperaturas que van desde temperatura ambiente (room temperature, RT) hasta alta temperatura (high temperature, HT) mediante el uso de una calculadora de consumo de las líneas de bits (bit line power calculator, BLPC) y un circuito de retención controlable digitalmente (digitally controllable retention circuit, DCRC). Se ha confirmado un prototipo para reducir el consumo de energía en modo activo y en modo de espera a 25º C, en un 27 % y un 85 %, respectivamente.
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