Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation (“Toshiba”) ha anunciado hoy que construirá una nueva planta de fabricación de obleas de 300 milímetros para semiconductores de potencia en su principal base de producción de semiconductores discretos, Kaga Toshiba Electronics Corporation, en la prefectura de Ishikawa. La construcción se llevará a cabo en dos fases, lo que permitirá optimizar el ritmo de inversión frente a las tendencias del mercado, y el inicio de la producción de la Fase 1 está programado para el año fiscal 2024. Cuando la fase 1 alcance su capacidad máxima, la capacidad de producción de semiconductores de potencia de Toshiba será 2,5 veces superior a la del año fiscal 2021[1].

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- Business Wire