Teledyne e2v HiRel añade dos nuevos y robustos transistores de alta movilidad de electrones (High electron mobility transistor, HEMT) de alta potencia con GaN a su familia de productos de alta potencia y 650 voltios líder del sector basada ​​en la tecnología GaN Systems.

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Los dos nuevos HEMT de alta potencia, TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo, de 30 y 15 amperios respectivamente, en comparación con los 60 amperios de TDG650E60, el modelo de 650 V original presentado el año pasado.

"El comunicado en el idioma original, es la versión oficial y autorizada del mismo. La traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".

- Business Wire