Teledyne e2v HiRel presenta dos HEMT con GaN de alta potencia para su línea de productos de 650 V

Teledyne e2v HiRel añade dos nuevos y robustos transistores de alta movilidad de electrones (High electron mobility transistor, HEMT) de alta potencia con GaN a su familia de productos de alta potencia y 650 voltios líder del sector basada ​​en la tecnología GaN Systems.

Los dos nuevos HEMT de alta potencia, TDG650E30B y TDG650E15B, ofrecen un rendimiento de corriente más bajo, de 30 y 15 amperios respectivamente, en comparación con los 60 amperios de TDG650E60, el modelo de 650 V original presentado el año pasado.

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- Business Wire