Integra, proveedor líder de soluciones innovadoras de potencia de microondas y RF que ayudan a crear un mundo más seguro y conectado, ha presentado la primera tecnología RF GaN/SiC de 100 V de la industria dirigida a una amplia gama de aplicaciones que incluyen radares, aviónica, guerras electrónicas, industriales, sistemas científicos y médicos. Al operar a 100 V, esta tecnología rompe las barreras de rendimiento de potencia de RF al lograr 3,6 kilovatios (kW) de potencia de salida en un solo transistor de GaN. GaN de 100 V de Integra ofrece a los diseñadores la capacidad de aumentar considerablemente los niveles de potencia y la funcionalidad del sistema, al tiempo que simplifican las arquitecturas del sistema con menos circuitos de combinación de energía en comparación con la tecnología más común de GaN de 50 V/65 V. En última instancia, los clientes se benefician de un formato de sistema más pequeño y un menor coste del sistema.

Programa Practico de Estrategias de Inversión y Trading
Aprende a invertir a corto, medio y largo plazo.
Aprende a invertir a corto, medio y largo plazo.

"El comunicado en el idioma original es la versión oficial y autorizada del mismo. Esta traducción es solamente un medio de ayuda y deberá ser comparada con el texto en idioma original, que es la única versión del texto que tendrá validez legal".

- Business Wire